STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package 792En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package 697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 180 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 118 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i 2.487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package 2.461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 378 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack 1.962En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 378 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK 913En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 30 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra 922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 600 V 39 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

Si SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 44 mOhms 30 V 4.2 V 110 nC - 55 C + 150 C 166 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na 1.629En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 180 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH 2.315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 5.4 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Si SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 51 A 50 mOhms 30 V 4.5 V 100 nC - 50 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFETs Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel 1 Channel 40 V 154 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 28 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET

N-Channel 290 A 1.1 mOhms Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 60 V 545 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh 1.019En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp 919En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO 2.141En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.5 A 745 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 17.4 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II 2.119En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 160 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A 1.671En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 620 V 5.5 A 1.28 Ohms - 30 V, 30 V 3.75 V 34 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II 2.200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 385 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5 2.921En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 162 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO 1.605En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 27 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube