Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
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104En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
83En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier
Hoja de datos
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSBF510 NPoS Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Reel, Cut Tape, MouseReel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSBF510 NPoS Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 20 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-78-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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Min.: 2.500
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: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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No en existencias
Min.: 500
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Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
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No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-78-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-78-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 30 V 2.5 V 3 mA 350 mW - 55 C + 150 C LSBF510 NPoS Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 20 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Reel