STMicroelectronics IGBTs

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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394En existencias
600En pedido
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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870En existencias
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Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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258En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
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343En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
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336En existencias
Más información disponible
Min.: 1
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Si TO-247 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 52 A 208 W - 55 C + 150 C STGWA19NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
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915En existencias
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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402En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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387En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGWA40H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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495En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
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158En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
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601En existencias
Min.: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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464En existencias
Min.: 1
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Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 168 W - 55 C + 175 C STGWT20H65FB Tube
STMicroelectronics IGBTs 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
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613En existencias
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Si TO-3P Through Hole Single 1.25 kV 2.55 V - 20 V, 20 V 40 A 259 W - 55 C + 175 C STGWT20IH125DF Tube
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
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287En existencias
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Si TO-3P Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGWT60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1200 V, 75 A, high-speed H series IGBT in a Max247 long l
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173En existencias
Más información disponible
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Si MAX257-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 150 A 750 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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181En existencias
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Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH TM IGBT
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1.000En pedido
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: 1.000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 2.7 V - 20 V, 20 V 15 A 62.5 W - 55 C + 150 C STGB6NC60HDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
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: 2.500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 8 A 68 W - 55 C + 175 C STGD4M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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1.000En pedido
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Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.4 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 40 C + 175 C STGP30H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT ACEPACK SMIT
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: 200

Si ACEPACK-9 SMD/SMT Dual 1.2 kV 2.2 V 20 V 69 A 536 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
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Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 42 A 140 W - 55 C + 150 C STGW19NC60HD Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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Más información disponible
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Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGW30H60DFB Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 357 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube