.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

OptiMOS 3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 219

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS 3

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.475
49.979En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Hoja de datos

49.979En existencias

Cinta cortada

$2.475

$1.792

$1.411

$1.266

Envase tipo carrete

$1.266

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD068N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.106
33.148En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD068N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD068N10N3GATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

33.148En existencias

Cinta cortada

$2.106

$1.523

$1.154

$1.077

Envase tipo carrete

$1.077

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
1: $1.602
79.844En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

79.844En existencias

Cinta cortada

$1.602

$1.004

$666

$526

Envase tipo carrete

$435

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.733
5.548En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC360N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5.548En existencias

Cinta cortada

$2.733

$1.747

$1.187

$990

$917

Envase tipo carrete

$857

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $4.334
5.482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

5.482En existencias

Cinta cortada

$4.334

$2.834

$2.218

$1.859

Envase tipo carrete

$1.803

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

275 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB019N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $8.210
1.335En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB019N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB019N08N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1.335En existencias

Cinta cortada

$8.210

$5.533

$4.021

$3.450

Envase tipo carrete

$3.450

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

80 V

180 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04L G
Infineon Technologies
1: $4.413
1.764En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04L G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1.764En existencias

Cinta cortada

$4.413

$2.890

$2.128

$1.926

Envase tipo carrete

$1.680

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

346 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
1: $5.566
5.059En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5.059En existencias

Cinta cortada

$5.566

$4.077

$3.304

$2.934

Envase tipo carrete

$2.598

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

IPP200N25N3 G
Infineon Technologies
1: $6.496
1.376En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP200N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N25N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1.376En existencias

$6.496

$5.208

$4.290

$3.640

$3.304

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

17.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.294
1.507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N10N3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N3ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

1.507En existencias

Cinta cortada

$6.294

$4.110

$2.990

$2.587

Envase tipo carrete

$2.419

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.389
53.840En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

53.840En existencias

Cinta cortada

$1.389

$870

$573

$446

Ver

Envase tipo carrete

$346

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.080
1.970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

1.970En existencias

Cinta cortada

$3.080

$2.229

$1.691

$1.680

Envase tipo carrete

$1.680

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

346 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB016N06L3 G
Infineon Technologies
1: $5.421
1.746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB016N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1.746En existencias

Cinta cortada

$5.421

$3.584

$2.811

$2.498

Envase tipo carrete

$2.206

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
1: $2.061
4.047En existencias
4.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB090N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4.047En existencias

4.000En pedido

Cinta cortada

$2.061

$1.322

$887

$708

Envase tipo carrete

$596

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.618
10.931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

10.931En existencias

Cinta cortada

$3.618

$2.352

$1.725

$1.445

$1.254

Envase tipo carrete

$1.254

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

159 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

63.4 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
1: $7.056
1.198En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB036N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1.198En existencias

Cinta cortada

$7.056

$5.410

$4.379

$3.886

Envase tipo carrete

$3.438

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

120 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
1: $1.534
122.445En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

122.445En existencias

Cinta cortada

$1.534

$952

$620

$478

Ver

Envase tipo carrete

$346

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
1: $1.422
9.564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC150N03LDGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC150N03LDGATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9.564En existencias

Cinta cortada

$1.422

$893

$589

$459

$383

Envase tipo carrete

$358

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

20 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

13.2 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC018N04LS G
Infineon Technologies
1: $2.094
9.890En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC018N04LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC018N04LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

9.890En existencias

Cinta cortada

$2.094

$990

$740

$627

$614

Envase tipo carrete

$614

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

150 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

IPP041N12N3 G
Infineon Technologies
1: $5.880
996En existencias
1.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP041N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP041N12N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A TO220-3 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

996En existencias

1.000En pedido

$5.880

$3.909

$3.170

$2.800

$2.486

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

120 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

IPP075N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
1: $4.334
1.699En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP075N15N3GXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP075N15N3GXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 100A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

1.699En existencias

2.000En pedido

$4.334

$1.904

$1.758

$1.736

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

150 V

100 A

6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

IPP147N12N3 G
Infineon Technologies
1: $2.262
2.719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP147N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP147N12N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3

Hoja de datos

2.719En existencias

$2.262

$1.093

$979

$711

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

120 V

56 A

14.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT020N10N3
Infineon Technologies
1: $5.723
1.993En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N10N3

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

1.993En existencias

Cinta cortada

$5.723

$3.808

$3.080

$2.733

$2.654

Envase tipo carrete

$2.419

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.262
7.446En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC067N06LS3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC067N06LS3GATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

7.446En existencias

Cinta cortada

$2.262

$1.445

$971

$771

Ver

Envase tipo carrete

$655

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

6.7 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC042N03LS G
Infineon Technologies
1: $1.579
6.621En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC042N03LS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC042N03LSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

6.621En existencias

Cinta cortada

$1.579

$992

$659

$515

Ver

Envase tipo carrete

$413

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

93 A

4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS 3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

5 A
7 A
10.9 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
20 A
21 A
23 A
24 A
25 A
29 A
30 A
33 A
34 A
35 A
36 A
37 A
39 A

800 uOhms
1.2 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms

5.5 nC
5.6 nC
6.4 nC
6.8 nC
7 nC
8.7 nC
9.1 nC
9.5 nC
11.4 nC
11.6 nC
12 nC
13.2 nC
14.4 nC
15 nC
18 nC
19 nC
20 nC
22 nC
23 nC
24 nC

2.5 W
25 W
26 W
28 W
29 W
31 W
32 W
33.8 W
34 W
35 W
37.5 W
38 W
39 W
41 W
42 W
47 W
50 W
56 W
57 W
60 W