4402 Transistores

Resultados: 20
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
Hoja de datos
12.383En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Hoja de datos
2.834En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
MOSFETs
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

MOSFETs Si
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
MACOM GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

MOSFETs Si
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
MACOM GaN FETs 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
MACOM GaN FETs 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
Hoja de datos
2.427En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
Infineon Technologies Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTOR
Hoja de datos
96.594En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323 NPN
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 42 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM PBFREE
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch Plazo de entrega no en existencias 42 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch Plazo de entrega no en existencias 42 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE PBFREE
Central Semiconductor Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
Hoja de datos
5.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8-32 N-Channel