STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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808En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Switch
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2.236En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 NPN
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
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115En existencias
Min.: 1
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 230 mOhm typ., 13 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A
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600En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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669En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs 910 mOhms typ. 6 A MDmesh K5 Power
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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976En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
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977En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
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2.750En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2
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7.437En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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2.682En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
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3.913En existencias
4.000En pedido
Min.: 1
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Carrete: 2.000

MOSFETs Si Through Hole TO-92-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5 A Zener SuperMESH
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368En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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503En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
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4.715En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-252-3 PNP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
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970En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
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5.394En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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808En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
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1.166En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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782En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel