STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
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1.764En existencias
1.799En pedido
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: 1.800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
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450En existencias
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: 400

IGBTs Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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995En existencias
1.000En pedido
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
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157En existencias
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MOSFET Modules Si Press Fit SDIP2B-26 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
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3.047En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
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5.946En existencias
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: 3.000

MOSFETs N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET
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1.795En existencias
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: 1.800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
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519En existencias
528En pedido
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MOSFET Modules SiC SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
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2.141En existencias
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
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754En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
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41En existencias
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MOSFET Modules SiC Press Fit
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
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2.119En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
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1.605En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
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2.692En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
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2.988En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A
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428En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
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2.921En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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20En existencias
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: 120

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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1.671En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
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2.200En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
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1.997En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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2.731En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY
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2.608En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-16 NPN
STMicroelectronics Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
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33En existencias
Min.: 1
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IGBT Modules Si Through Hole ACEPACK2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
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1.019En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel