Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STD15N60M2-EP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
STLD125N4F6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
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MOSFETs
Si
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PowerFLAT-5x6-8
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
STGF5H60DF
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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Si
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TO-220FP-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
STB24NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
STI13NM60N
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
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Si
Through Hole
TO-262-3
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MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
SCTW90N65G2V
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MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-3
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IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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STGW50H65DFB2-4
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IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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IGBT Transistors
Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
STFU26N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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TO-220-3
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GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT350R70GTK
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GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs
GaN
SMD/SMT
DPAK-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
ST8L60N065DM9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
ST8L65N044M9
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
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MOSFETs
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PowerFLAT-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
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STF80N240K6
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511-STF80N240K6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
STFU28N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
STP7NK40Z
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511-STP7NK40Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
2.316 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
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511-RF5L08350CB4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
B4E-5
N-Channel
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
A2TBH45M65W3-FC
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Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET
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MOSFET Modules
Press Fit
ACEPACK
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
A2U8M12W3-FC
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511-A2U8M12W3-FC
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Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
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MOSFET Modules
SiC
Press Fit
56.7 mm x 48 mm
N-Channel
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
M1P45M12W2-1LA
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511-M1P45M12W2-1LA
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Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
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MOSFET Modules
SiC
Press Fit
ACEPACK DMT-32
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
SCT012W90G3-4AG
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511-SCT012W90G3-4AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
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SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
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511-SCT016H120G3AG
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STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
814 En existencias
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$26.107
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$18.850
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
SCT020HU120G3AG
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N.º de artículo de Mouser
511-SCT020HU120G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
433 En existencias
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
SCT027H65G3AG
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$14.190
1.068 En existencias
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511-SCT027H65G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
1.068 En existencias
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$14.190
10
$9.946
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$8.646
1.000
$8.075
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
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N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU120G3AG
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STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
617 En existencias
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$15.131
10
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$9.162
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$8.725
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600
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
SCT055TO65G3
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N.º de artículo de Mouser
511-SCT055TO65G3
Nuevo producto
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
1.764 En existencias
1.799 En pedido
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$9.554
10
$6.552
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$5.779
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$5.253
1.000
$4.805
1.800
$4.805
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1.800
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SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
TOLL-8
N-Channel
IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
STGIPNS4C60T-H
STMicroelectronics
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450 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPNS4C60T-H
Nuevo producto
STMicroelectronics
IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
450 En existencias
1
$9.923
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$6.787
100
$5.488
400
$5.029
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400
Detalles
IGBTs
Si
SMD/SMT
NSDIP-26