STMicroelectronics Transistores

Resultados: 1.938
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A 4.237En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 705En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo 990En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads 692En existencias
950En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in 515En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT 490En existencias
600En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a 1.254En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package 1.019En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in 1.964En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 1.005En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 854En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 2.061En existencias
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG 2.097En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 7.245En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII 1.878En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i 4.194En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in 9.632En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET 3.101En existencias
6.000En pedido
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i 5.927En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ., 140 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 3.276En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.335Ohm 10A MDmesh M5 1.653En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5 3.613En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3. 5.804En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.3 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET i 8.874En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 1.35 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a 3.610En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel