STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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739En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
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2.597En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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3.192En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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1.754En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
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1.000En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
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768En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
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1.580En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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548En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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712En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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670En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
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3.357En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-92-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
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124En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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127En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11