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TEA2209T/1J

Name: NXP TEA2209T/1J
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-TEA2209T/1J
Price: 7067 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-TEA2209T/1J

Fabricante N.º:

TEA2209T/1J

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Rectificadores en puente TEA2209T/1

Hoja de datos:

TEA2209T/1J Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$5.342	$53.420
	$4.906	$122.650
	$4.424	$442.400
	$4.200	$1.050.000
	$4.122	$2.061.000
	$3.170	$3.170.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$3.158	$7.895.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Rectificadores en puente
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Estilo de terminación:	Solder Pad
Paquete / Cubierta:	SOIC-16
Serie:	TEA2209T
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	NXP Semiconductors
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tipo de producto:	Bridge Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Alias de las piezas n.º:	935405204118

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Hoja de datos

TEA2209T/1J Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

TEA2209T Active Bridge Rectifier Controller

NXP Semiconductors TEA2209T Active Bridge Rectifier Controller is designed to replace the traditional diode bridge. Using the TEA2209T with low-ohmic high-voltage external MOSFETs significantly improves the efficiency of the power converter as the typical rectifier diode-forward conduction losses are eliminated. The TEA2209T includes an X-capacitor discharge function. To reduce power consumption at a standby condition, an external signal via the COMP pin can disable the TEA2209T. The controller is intended for power supplies with a boost-type power-factor controller as a first stage. The second stage can be a resonant controller, a flyback controller, or any other controller topology. It can be used in any power supply requiring high efficiency. NXP Semiconductors TEA2209T Active Bridge Rectifier Controller is offered in an SO16 package and fabricated in a Silicon-on-Insulator (SOI) process.