STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
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1.014En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
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1.993En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
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1.813En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
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1.522En existencias
1.952En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
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5.277En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
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7.090En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
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2.292En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
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5.701En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
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531En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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377En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
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649En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
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3.751En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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3.110En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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2.157En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
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3.089En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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1.293En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
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1.571En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X7.5 Amp 45 Volt
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9.590En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 1.0 Amp 40 Volt
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20.068En existencias
12.000En pedido
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DO-216AA-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, dual 3A Power Schottky Rectifier
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10.757En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
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2.969En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT PowerFLAT 8x8

STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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1.668En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V power Schottky silicon carbide diode
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2.136En existencias
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SiC Schottky Diodes TO-220AC-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A
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4.386En existencias
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Carrete: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8