STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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1.142En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
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4.620En existencias
3.000En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 100V, 3.2mOhm max, 158A STripFET F8 Power MOSFET
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2.815En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 100 V, 3.2 mOhm max., 154 A STripFET F8 Power MOSFET
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1.757En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 40 V, 1.0 mOhm max., 304 A, STripFET F8 Power MOSFET
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2.767En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V, 0.85 mOhm max., 350A STripFET F8 Power MOSFET
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2.534En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
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3.968En existencias
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MOSFETs Si
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Rad-Hard 150V - 2x30A Schottky rectifier - Engineering model
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT LCC-2B
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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756En existencias
1.200En pedido
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SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
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571En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 30 A Silicon Carbide Diode
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525En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole DO-247-2


STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 40 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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558En existencias
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 15 A, Power Schottky Trench Rectifier
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9.756En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
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7.696En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
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9.515En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 100 V, 5 A Power Schottky Trench Rectifier
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11.126En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
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5.787En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A-3
STMicroelectronics Rectificadores 1200 V, 60 A Ultrafast High Voltage Diode
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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522En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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580En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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294En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics SCR 16 A 800 V High Temperature SCR
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3.994En existencias
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SCRs
STMicroelectronics SCR 1200 V, 40 A Automotive Grade SCR Thyristor
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SCRs

STMicroelectronics SCR 50 A 800 V High Temperature SCR in D2PAK package
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1.561En existencias
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SCRs SMD/SMT D2PAK-3