STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta


STMicroelectronics Triacs 12 A Snubberless Triac
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2.267En existencias
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Triacs Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Triacs 16 A Logic Level Triac for LED Light Dimmers
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2.191En existencias
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Triacs Through Hole TO-22AB-3
STMicroelectronics Triacs 16 A - 800 V - 150 °C H-series Triac in TO-220AB Ins.
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1.414En existencias
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Triacs


STMicroelectronics Triacs 20 A - 600 V - 150 °C H-series Triacs
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1.783En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 600 Volt
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3.578En existencias
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Triacs Through Hole IPAK
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 600 Volt
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2.862En existencias
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Triacs Through Hole IPAK
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 800 Volt
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2.617En existencias
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Triacs Through Hole IPAK
STMicroelectronics Triacs Hi temp 8A Triacs
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2.048En existencias
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: 1.000

Triacs SMD/SMT D2PAK

STMicroelectronics SCR 30 A 600 V D2PAK High Temperature Thyristor SCR
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1.428En existencias
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SCRs SMD/SMT D2PAK-3

STMicroelectronics SCR 1200 V, 30 A Automotive Grade AEC-Q101 SCR Thyristor
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289En existencias
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SCRs Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
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2.487En existencias
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
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124En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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127En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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356En existencias
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: 1.800

GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
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: 100

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5
STMicroelectronics Triacs 20 Amp 700 Volt
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732En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
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1.962En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
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2.461En existencias
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
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3.854En existencias
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: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
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913En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive 3000 W, 6.5 V TVS in SMC
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1.955En existencias
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: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24
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45En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
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2.236En existencias
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: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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922En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3