STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
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: 1.000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
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5.394En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
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: 2.500
MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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2.071En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
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1.166En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
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782En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
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1.816En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
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1.600En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
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105En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole SDIP2B-26
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
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357En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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1.617En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
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644En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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739En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 1A 100V HI VLTG PWR
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15.675En existencias
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: 12.000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DO-222AA-2
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky POWER MOSFET
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3.219En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X10 Amp 45 Volt
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2.350En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores Ultrafast Recovery 6000V 12pF Diode
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688En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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2.970En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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687En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Triacs 20 A - 800 V 150Deg C
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Triacs

STMicroelectronics Triacs 30 A - 600 V - 150 °C H-series Triacs
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: 1.000

Triacs SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics SCR 8.0 Amp 600 Volt
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2.772En existencias
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SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)