STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi
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3.422En existencias
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 6.5V Unidirect
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11.163En existencias
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 58 V TVS in SMC
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

STMicroelectronics Rectificadores Automotive 1200 V, 60 A Bridge Rectifier diode
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512En existencias
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1.053En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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978En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH&#34 IGBT
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1.000En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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1.440En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-HV-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
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1.501En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
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1.774En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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792En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 20A 100V
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722En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Auto pwr Schottky 5A 100V 0.61VF
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2.565En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
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2.750En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
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709En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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398En existencias
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MOSFETs Si Through Hole
STMicroelectronics Triacs Hi temp 10A Triacs
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1.616En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics Triacs Hi temp 10A Triacs
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2.489En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK
STMicroelectronics SCR 12 Amp 600 Volt
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2.534En existencias
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SCRs SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
STMicroelectronics SCR 12 Amp 600 Volt
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2.405En existencias
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SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics SCR THYRISTOR
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2.319En existencias
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SCRs Through Hole TO-220-3