STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 8 A 650 V SiC Power Schottky Diode
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package
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3.357En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-92-3
STMicroelectronics Rectificadores Automotive 600 V, 15 A Turbo 2 Soft Ultrafast Recovery Diode
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938En existencias
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
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166En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET
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777En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Triacs 12A 800V 150°C D²PAK Logic Level T-Series Triac
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2.863En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK-3/2
STMicroelectronics Triacs 16A 800V 150°C D²PAK Logic Level T-Series Triac
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2.470En existencias
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Triacs SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics Triacs Hi temp 16A Triacs
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2.075En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Triacs Hi temp 8A Triacs
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2.059En existencias
2.000En pedido
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i
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2.487En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
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2.461En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
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124En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
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127En existencias
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MOSFET Modules Press Fit
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
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364En existencias
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GaN FETs GaN SMD/SMT TO-LL-11
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
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18En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT LBB-5
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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4.199En existencias
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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2.258En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
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922En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Uni
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2.236En existencias
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Carrete: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
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3.854En existencias
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Carrete: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK
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913En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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564En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
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677En existencias
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Carrete: 2.500

GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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234En existencias
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Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET
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225En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5