IXYS Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
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371En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 64A
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389En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 1KV 24A
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203En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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1.726En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
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729En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.50 Rds
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442En existencias
150En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
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232En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
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250En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
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267En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
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160En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs GenX3 600V IGBTs
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110En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS SCR SCR TO247 1.5KV
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257En existencias
300En pedido
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SCRs
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
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824En existencias
648En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 0.9A HV Power MOSFET
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162En existencias
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MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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306En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Hoja de datos
269En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) D2 Depletion Mode Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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901En existencias
300Se espera el 27-07-2026
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
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263En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Módulos MOSFET DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
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2.234En existencias
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: 2.500

MOSFET Modules Si Through Hole TO-252-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX4 XPT IGBT
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327En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT
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299En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
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252En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPT C3-Class TO-220
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577En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3

IXYS IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT
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153En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS Módulos de Tiristores 56 Amps 1200V
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74En existencias
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Thyristor Modules Si Screw Mount TO-240AA