STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Uni 4.830En existencias
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: 2.500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni 4.199En existencias
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: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed 2.258En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics SCR 1.25A SENSITIVE GATE SCR 6.469En existencias
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SCRs Through Hole TO-92-3 (TO-226-3)
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24 45En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac 564En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni 3.854En existencias
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: 5.000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK 913En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor 677En existencias
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: 2.500

GaN FETs GaN SMD/SMT DPAK-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET 230En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET 222En existencias
Min.: 1
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 940En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220AC-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 1.000En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode 2.061En existencias
5.000En pedido
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: 5.000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT SMBF-2
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 650 V, 8A High surge Silicon Carbide power Schottky diode 1.000En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET 1.017En existencias
1.000En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110En existencias
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: 120

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5


STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Pwr Schottky 2X20A 120V 0.46VF 994En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na 1.634En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH 2.316En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 5000 W, 100 V TVS in SMC 2.374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Triacs Sensitive 6 A High Temperature 718En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET 36En existencias
18En pedido
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Mult.: 1

MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A 18En existencias
18En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit 56.7 mm x 48 mm
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Automotive dual-line unidirectional 12 V ESD protection in SOT323 33.675En existencias
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: 3.000

SOT-323-3