STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 10V 0.2uA 15kV 8kV BI
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2.463En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 48V Bidirect
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
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989En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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2.116En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
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146En existencias
100En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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794En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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546En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1.852En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
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2.384En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
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340En existencias
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IGBT Modules Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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1.861En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
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693En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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968En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
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374En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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778En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Hi Vltg Pwr SCHOTTKY RECTIFIER
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2.802En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Auto pwr Schottky 10A 45V VRRM 0.57V
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4.358En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 1.0 Amp 30 Volt
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11.604En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Lo drop Pwr Schottky rectifier
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12.991En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X15 Amp 150 Volt
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1.964En existencias
2.000En pedido
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores 3.0 Amp 200 Volt
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7.977En existencias
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: 2.500

Rectifiers SMD/SMT SMC
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
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1.841En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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454En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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340En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3