STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W, 28 V TVS in SMC
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.55 Ohm typ. 7.5A
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -30 V, 5 mOhm typ., -80 A, STripFET H6 Power MOSFET i
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1.097En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd,3phs 600V shrt-crct
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IGBT Modules Si Through Hole SDIP2F-26


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
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MOSFETs Si SMD/SMT
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
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2.086En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 700V-1ohm Zener SuperMESH 7.5A
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487En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Hi Vltg Pwr SCHOTTKY RECTIFIER
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2.000En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X10 Amp 25 Volt
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1.381En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Power Schottky Rectifier
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores 30 Amp 600 Volt
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482En existencias
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Rectifiers Through Hole DOP 3 ISOL
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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808En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ., 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a Max247 packa
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421En existencias
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MOSFETs Si Through Hole Max247-3


STMicroelectronics Triacs 12 A Snubberless Triac
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Triacs Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Triacs 16 A - 800 V - 150 °C H-series Triac in TO-220AB Ins.
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Triacs
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 600 Volt
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Triacs Through Hole IPAK
STMicroelectronics Triacs 4.0 Amp 800 Volt
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2.627En existencias
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Triacs Through Hole IPAK