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CoolMOS Semiconductores

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6
Infineon Technologies
1: $5.746
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N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega 8 Semanas

$5.746

$3.819

$3.035

$2.688

$2.386

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R190P6FKSA1
Infineon Technologies
240: $1.904
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R190P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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$1.904

$1.669

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
1: $7.190
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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$7.190

$4.166

$3.483

$3.472

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA60R380E6
Infineon Technologies
1: $2.722
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

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$2.722

$1.333

$1.198

$959

$914

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA65R190E6
Infineon Technologies
1: $4.872
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6

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$4.872

$3.494

$2.666

$1.680

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.651
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R280C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R280C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6

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$3.651

$2.363

$1.736

$1.266

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3

IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: $1.814
Plazo de entrega 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R650CEXKSA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3

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$1.814

$864

$771

$606

$524

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R125CP
Infineon Technologies
1.000: $2.957
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125CP

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726-IPB60R125CP

NRND

Infineon Technologies

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Envase tipo carrete

$2.957

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Mult.: 1.000

: 1.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R125CPATMA1
Infineon Technologies
1: $6.955
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

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Cinta cortada

$6.955

$4.659

$3.360

$3.170

Envase tipo carrete

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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R160C6
Infineon Technologies
1: $4.850
Plazo de entrega 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Cinta cortada

$4.850

$3.192

$2.386

$2.128

Envase tipo carrete

$1.882

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R160C6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.962
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Cinta cortada

$4.962

$3.270

$2.307

$2.016

Envase tipo carrete

$1.882

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

IPD65R1K4C6
Infineon Technologies
2.500: $402
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NRND

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IPD65R1K4C6

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726-IPD65R1K4C6

NRND

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$402

$400

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

IPD65R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
2.500: $400
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NRND

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IPD65R1K4C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R1K4C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

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$400

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP

IPI60R125CP
Infineon Technologies
500: $2.957
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPI60R125CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R125CP

NRND

Infineon Technologies

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$2.957

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A I2PAK-3

IPI60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
500: $2.162
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPI60R165CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R165CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A I2PAK-3

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$2.162

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
1: $3.483
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R299CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R299CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP

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$3.483

$1.747

$1.579

$1.288

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R385CP
Infineon Technologies
1: $3.214
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R385CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R385CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

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$3.214

$2.072

$1.478

$1.095

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R385CPXK
Infineon Technologies
500: $1.176
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R385CPXK

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R385CPXK

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

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$1.176

$1.072

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R125C7
Infineon Technologies
1: $6.037
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R125C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R125C7

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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$6.037

$3.931

$3.080

$2.576

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3

IPP65R190C6
Infineon Technologies
500: $1.848
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3

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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

$1.848

$1.691

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3

IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.227
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R190C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R190C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3

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Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

$6.227

$4.514

$3.741

$1.680

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
240: $6.082
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R075CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$6.082

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
1: $7.392
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$7.392

$4.502

$3.808

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.760
Plazo de entrega 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R170CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Plazo de entrega 8 Semanas

$4.760

$3.102

$2.430

$2.038

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
1: $5.555
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R199CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R199CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$5.555

$3.685

$2.307

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