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HyperFET Semiconductores discretos

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Tipos de Semiconductores discretos

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

IXFG55N50
IXYS
25: $22.814
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFG55N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFG55N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$22.814

$20.149

Presupuesto

Min.: 25
Mult.: 25

MOSFETs

Through Hole

TO-264-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

IXFH10N100
IXYS
1: $17.237
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH10N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH10N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

Hoja de datos

No en existencias

$17.237

$13.339

$11.525

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

IXFH11N80
IXYS
30: $7.784
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH11N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH11N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 11 Amps 800V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

$7.784

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

IXFH12N100
IXYS
300: $11.446
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 12A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

$11.446

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

IXFH12N120
IXYS
30: $16.117
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N120

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.3 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$16.117

$13.933

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

IXFH12N90
IXYS
60: $14.045
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH12N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH12N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V 12A

Hoja de datos

No en existencias

$14.045

$12.141

Presupuesto

Min.: 60
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

IXFH13N100
IXYS
30: $15.131
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N100

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N100

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 1000V 0.9 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$15.131

$13.082

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

IXFH13N80
IXYS
300: $9.094
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 13A

Hoja de datos

No en existencias

$9.094

$8.613

$8.042

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

IXFH13N80Q
IXYS
30: $10.528
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N80Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N80Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 800V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$10.528

$9.094

$8.613

$8.042

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

IXFH13N90
IXYS
30: $12.141
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH13N90

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH13N90

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 13 Amps 900V 0.8 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$12.141

$10.494

$9.934

$9.274

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

IXFH14N80
IXYS
30: $12.376
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH14N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH14N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 800V 0.7 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$12.376

$10.685

$10.125

$9.453

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

IXFH15N60
IXYS
30: $7.784
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 15 Amps 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

$7.784

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

IXFH15N80
IXYS
30: $11.122
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH15N80

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH15N80

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V 15A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

$11.122

$9.262

$7.706

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

IXFH20N60
IXYS
300: $13.787
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N60

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N60

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 20A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

$13.787

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

IXFH21N50
IXYS
90: $7.963
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH21N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH21N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 21A

Hoja de datos

No en existencias

$7.963

$6.630

$5.902

$5.510

Min.: 90
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A

IXFH24N50
IXYS
300: $6.339
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH24N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH24N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 24A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$6.339

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500

IXFH26N50
IXYS
300: $5.835
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH26N50

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH26N50

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id26 BVdass500

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$5.835

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds

IXFH30N40Q
IXYS
30: $8.792
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N40Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N40Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 400V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$8.792

$7.325

$6.518

$6.093

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds

IXFH30N60Q
IXYS
30: $11.525
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH30N60Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH30N60Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V 0.23 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$11.525

$9.587

$8.546

$7.974

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

IXFH36N55Q
IXYS
30: $12.813
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N55Q

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$12.813

$11.066

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

IXFH36N55Q2
IXYS
30: $16.229
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH36N55Q2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH36N55Q2

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 550V 0.16 Rds

Hoja de datos

No en existencias

$16.229

$14.022

Presupuesto

Min.: 30
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

IXFH40N30
IXYS
300: $21.739
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH40N30

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH40N30

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 40A

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

$21.739

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

IXFH42N20
IXYS
300: $8.568
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH42N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH42N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 200V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

$8.568

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

IXFH50N20
IXYS
300: $15.378
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH50N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH50N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id50 BVdass200

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

$15.378

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

IXFH58N20
IXYS
300: $11.760
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IXFH58N20

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH58N20

NRND

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 58A

Hoja de datos

No en existencias

$11.760

Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

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