NXP Transistores de radiofrecuencia

Resultados: 78
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Empaquetado
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240
RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 50 MHz 330 W + 150 C 28.2 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-220-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 115 W - 40 C + 150 C 21.1 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 1.8 MHz to 250 MHz 330 W - 40 C + 150 C 20.4 dB Tube
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT OM-1230G-4 Si 1.8 MHz to 400 MHz 1.8 kW - 40 C + 150 C 24.4 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270WB-4 Si 764 MHz to 940 MHz 57 W - 40 C + 150 C 17.5 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ13.6V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-2 Si 764 MHz to 941 MHz 32 W - 40 C + 150 C 15.7 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT OM-1230G-4 Si 1.8 MHz to 500 MHz 1.5 kW - 40 C + 150 C 23 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-780 Si 960 MHz to 1.215 GHz 275 W + 150 C 20.3 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1400MHZ 50V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-780S Si 1.2 GHz to 1.4 GHz 330 W + 150 C 18 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 150
Mult.: 150
Carrete: 150

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-1230H-4 Si 1.8 MHz to 600 MHz 1.25 kW + 150 C 24 dB Reel
NXP Semiconductors AFT05MP075N-54M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MP075N-54M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFET Transistors SMD/SMT Si 136 MHz to 520 MHz 70 W - 40 C + 150 C 18.5 dB
NXP Semiconductors AFT05MS004-200M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT05MS004-200M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFET Transistors SMD/SMT SOT-89-3 Si 136 MHz to 941 MHz 4.9 W - 40 C + 150 C 20.9 dB
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) AFT27S006N-1000M
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 1 semana
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFET Transistors SMD/SMT PLD-1.5W Si 728 MHz to 3.7 GHz 28.8 dBm - 40 C + 150 C 16 dB
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W 2700-3100MHz
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount OM-780-2 Si 2.7 GHz to 3.1 GHz 150 W - 40 C + 150 C 17.2 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 500W 50V NI780H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-780H-2 Si 960 MHz to 1.215 MHz 500 W + 150 C 19.7 dB Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-2 Si 450 MHz to 1.5 GHz 10 W + 150 C 18 dB Reel
NXP Semiconductors Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-143B-4 Bipolar Wideband Si 10.5 GHz 6.5 dBm - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-143B-4 Bipolar Wideband Si 11 GHz 10 dBm - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-143R-4 Bipolar Wideband Si 11 GHz 13.5 dBm - 40 C + 150 C Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

RF Bipolar Transistors SMD/SMT SOT-343F-4 Bipolar Wideband SiGe 55 GHz + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 900MHZ 10W TO270-2N
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270-2 Si 450 MHz to 1.5 GHz 10 W + 150 C 18 dB Reel
NXP Semiconductors AFM912NT1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 12 W CW over 136 to 941 MHz, 7.5 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000

RF MOSFET Transistors SMD/SMT DFN-16 Si 136 MHz to 941 MHz 15.7 W - 40 C + 150 C 13.3 dB Reel
NXP Semiconductors AFT09MP055GNR1
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 55W 12.5V TO270WB4G
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFET Transistors SMD/SMT TO-270WB-4 Si 764 MHz to 940 MHz 57 W - 40 C + 150 C 17.5 dB Reel
NXP Semiconductors AFV121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT NI-1230H-4S Si 960 MHz to 1.215 GHz 1.23 kW - 40 C + 150 C 16.9 dB Reel
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
NXP Semiconductors Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1KW 50V NI1230H
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 50
Mult.: 50
Carrete: 50

RF MOSFET Transistors Screw Mount NI-1230-4 Si 1 kW + 150 C 20 dB Reel