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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 8A, 650V, SiC Schottky Diode
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode
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1.000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode
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980En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode
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1.000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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1.000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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290En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 30A, 650V, SiC Schottky Diode
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300En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 40A, 650V, SiC Schottky Diode
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274En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 6A, 650V, SiC Schottky Diode
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997En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 10A, 650V, SiC Schottky Diode
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978En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 12A, 650V, SiC Schottky Diode
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1.000En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 16A, 650V, SiC Schottky Diode
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997En existencias
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Taiwan Semiconductor Diodos Schottky de SiC 20A, 650V, SiC Schottky Diode
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985En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 14.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1.981En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 9.5A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1.986En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 4.8V
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1.910En existencias
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: 2.500

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 100A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 7.5V
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2.438En existencias
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: 2.500

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, 52A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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5.000En existencias
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: 2.500

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 34A, Single N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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5.000En existencias
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: 2.500

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, 31A, Dual N-Channel Automotive Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Logic Level, RDS (max) = 25V
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2.500En existencias
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: 2.500

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 61A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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300En existencias
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Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 12A, Single N-Channel High Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
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1.984En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores y diodos Schottky 10A, 200V, Schottky Rectifier
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1En existencias
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Taiwan Semiconductor Rectificadores 60ns, 10A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
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4.500En existencias
4.500En pedido
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: 4.500

Taiwan Semiconductor Rectificadores 60ns, 8A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier, Automotive Qualified
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4.500En existencias
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: 4.500