Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
PXAE263708NB-V1-R2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 40dB IL 1.3dB @ 18GHz
MACOM MA4SW310B-1
MA4SW310B-1
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Circuitos integrados de interruptores de RF 2-18GHz ISO 40dB IL 1.3dB @ 18GHz
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Diodos PIN Diode,PIN,Chip
MACOM MADP-000488-13740W
MADP-000488-13740W
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Diodos PIN Diode,PIN,Chip
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Diodos PIN Diode,PIN,Surmount,PocketTape
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MADP-000422-12950P
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Diodos PIN Diode,PIN,Surmount,PocketTape
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Acondicionamiento de señales 2 way Power Divider
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MAPD-011039
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Acondicionamiento de señales 2 way Power Divider
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GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
GTRA384802FC-V1-R0
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GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz
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Diodos PIN Vr=-100V Rs 5 Ohm Ct=.045pF
MACOM MA4SPS402
MA4SPS402
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Acondicionamiento de señales MMIC,DIE,DBLR,IN=13.5-17G,OUT=27-37G,VR
MACOM XX1007-BD-000V
XX1007-BD-000V
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Acondicionamiento de señales MMIC,DIE,DBLR,IN=13.5-17G,OUT=27-37G,VR
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-3000MHz Iso 21dB IL .35dB@2.4GHz
MASWSS0176TR-3000
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Circuitos integrados de interruptores de RF 50-3000MHz Iso 21dB IL .35dB@2.4GHz
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GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
CGH60015D-GP4
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GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
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GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
GTRA362002FC-V1-R0
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GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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Detector de RF 1-18GHz 12pF Polarity Neg.
MACOM 2086-6010-00
2086-6010-00
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Detector de RF 1-18GHz 12pF Polarity Neg.
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz
360°
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DU2820S
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DU2820S
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Diodos PIN Diode,Pin,Ceramic_Pkg,Si
MA4L021-120
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Diodos PIN Diode,Pin,Ceramic_Pkg,Si
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Transformadores de audio / Transformadores de señal 50-1200MHz Imp. 1:1
MABAES0029
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Transformadores de audio / Transformadores de señal 50-1200MHz Imp. 1:1
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,25W,3.1-3.5GHz,2uS,10%
360°
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PH3135-25S
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Amplificador de RF DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
CMPA601C025D
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Amplificador de RF DIE, MMIC, GaN, PA, 25W, 6.0-12.0GHz
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GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
GTVA262711FA-V2-R0
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N.º de artículo de Mouser 941-GTVA262711FAV2R0
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GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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Acondicionamiento de señales Transformer,Wide-Band
MACOM TP-101-PIN
TP-101-PIN
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N.º de artículo de Mouser 937-TP-101-PIN
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Acondicionamiento de señales Transformer,Wide-Band
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Diodos PIN Diode,Pin,Ceramic_Pkg,Si
MA4P505-255
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N.º de artículo de Mouser 937-MA4P505-255
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Diodos PIN Diode,Pin,Ceramic_Pkg,Si
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Diodos PIN Diode,PIN,Plastic,LeadFree
MA4P7436CA-287T
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N.º de artículo de Mouser 937-MA4P7436CA-287T
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Diodos PIN Diode,PIN,Plastic,LeadFree
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$1.081
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
360°
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PH3135-90S
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$887.914
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N.º de artículo de Mouser 937-PH3135-90S
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Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse
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GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
GTVA262701FA-V2-R0
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N.º de artículo de Mouser 941-GTVA262701FAV2R0
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GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
53 En existencias
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Transformadores de audio / Transformadores de señal Transformer on Tape & Reel,5:1,5-1000MHz
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ETC1.5-4TR
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N.º de artículo de Mouser 937-ETC1.5-4TR
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Transformadores de audio / Transformadores de señal Transformer on Tape & Reel,5:1,5-1000MHz
1.198 En existencias
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$3.640
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$3.293
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$3.069
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$2.968
2.000
$2.251
4.000
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250
$2.845
500
$2.744
1.000
$2.654
4.000
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky,Surmount,Anti-par,Med Bar,Sil,C
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MA4E2508M-1112
MACOM
200:
$4.614
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N.º de artículo de Mouser 937-MA4E2508M-1112
MACOM
Rectificadores y diodos Schottky Schottky,Surmount,Anti-par,Med Bar,Sil,C
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