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STL165N4F8AG

Name: STMicroelectronics STL165N4F8AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL165N4F8AG
Price: 2285 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STL165N4F8AG

Fabricante N.º:

STL165N4F8AG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.285	$2.285
	$1.467	$14.670
	$988	$98.800
	$785	$392.500
	$727	$727.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$692	$2.076.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerFLAT-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	154 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	28 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	111 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	3.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.6 ns
Serie:	STripFET F8
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	16 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Peso de la unidad:	76 mg

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and offer a comprehensive package solution from 30V to 150V to meet all the requirements for very high-power-density solutions. These low-voltage MOSFETs feature STPOWER STripFET F8 technology. STripFET F8 technology saves energy and ensures low noise in power conversion, motor control, and power distribution circuits by cutting both on-resistance and switching losses while optimizing body-diode properties. The STMicroelectronics STripFET F8 N-Channel Power MOSFETs simplify system designs and increase efficiency in applications such as automotive, computer / peripherals, data centers, telecom, solar, power supplies / converters, battery chargers, home / professional appliances, gaming, drones, and more.