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SICW100N065H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW100N065H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW100N065H4-BP
Price: 7806 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-SICW100N065H4-BP

Fabricante N.º:

SICW100N065H4-BP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4

Ciclo de vida:

Pedido especial de fábrica:

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Hoja de datos:

SICW100N065H4-BP Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$7.806	$7.806
	$5.723	$57.230
	$4.626	$462.600
	$4.110	$2.055.000
	$3.640	$3.640.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	32 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	130 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.6 V
Qg - Carga de puerta:	66 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	166 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	15 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	8.5 S
Empaquetado:	Bulk
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	17 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns

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Hoja de datos

SICW100N065H4-BP Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MOSFET de carburo de silicio (SiC) SICWx

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) SICWx de Micro Commercial Components (MCC) son MOSFET de SiC de 650 V para conmutación de alta velocidad. Estos MOSFET utilizan la tecnología de MOSFET de SiC y son ideales para aplicaciones de alto voltaje, lo que ofrece un funcionamiento confiable en entornos industriales rigurosos. Los MOSFET SICWx están diseñados con bajo R_DS(on)y baja carga de puerta para reducir las pérdidas de conmutación y contribuir a una mayor eficiencia general del sistema. El diseño que aumenta la eficiencia y el paquete TO-247 ofrecen un rendimiento térmico superior, mientras que las opciones de 3 o 4 pines (pin con fórmula Kelvin) mejoran la versatilidad. Los MOSFET SICWx están fabricados con diseño resistente y avalancha que tienen la capacidad de permitir una mejor gestión térmica y mayor eficiencia. El uso ideal de estos MOSFET es en suministros de energía, telecomunicaciones, sistemas de energía renovable y controladores de motores.

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.