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SICW025N120H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW025N120H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW025N120H4-BP
Price: 19208 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

833-SICW025N120H4-BP

Fabricante N.º:

SICW025N120H4-BP

Fabricante:

Micro Commercial Components (MCC)

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4

Ciclo de vida:

Pedido especial de fábrica:

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Hoja de datos:

SICW025N120H4-BP Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$19.208	$19.208
	$13.630	$136.300
	$11.872	$1.187.200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Micro Commercial Components (MCC)
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	86 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	45 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	305 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Micro Commercial Components (MCC)
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	18.6 S
Empaquetado:	Bulk
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	55 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1800
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	8 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	31 ns