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SI7386DP-T1-E3

Name: Vishay SI7386DP-T1-E3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7386DP-T1-E3
Price: 2800 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SI7386DP-T1-E3

Fabricante N.º:

SI7386DP-T1-E3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Volt 19 Amp 5W

Hoja de datos:

SI7386DP-T1-E3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.800	$2.800
	$1.803	$18.030
	$1.232	$123.200
	$988	$494.000
	$978	$978.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$926	$2.778.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK-SO-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	19 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	11.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9 ns
Serie:	SI7
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	SI7386DP-E3
Peso de la unidad:	506,600 mg

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SI7386DP-T1-E3 Hoja de datos

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REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SI73 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Semiconductors SI73 TrenchFET^® Power MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK^® package with a low 1.07mm profile. The TrenchFET^® Power MOSFETs are 100% R_g/UIS tested and halogen-free. These SI73 power MOSFETs are ideally used in DC/DC converters.