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SH8KE7TB1

Name: ROHM Semiconductor SH8KE7TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SH8KE7TB1
Price: 3158 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-SH8KE7TB1

Fabricante N.º:

SH8KE7TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 8A Dual Nch+Nch, SOP8, Power MOSFET

Hoja de datos:

SH8KE7TB1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$3.158	$3.158
	$2.050	$20.500
	$1.411	$141.100
	$1.154	$577.000
	$1.105	$1.105.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.077	$2.692.500

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	19.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	18 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	7.1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	22 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	44 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs

ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs feature two 40V or 60V MOSFETs in a small, surface-mount SOP8 package with eight terminals. The SH8K series offers low on-resistance and maximum R_DS(on) of 8.4mΩ, 12.4mΩ, or 19.4mΩ. Other features are 2W power dissipation and ±8.5A, ±10.5, or ±13.5A drain current ID. These RoHS-compliant MOSFETs are halogen free and use Pb-free plating. ROHM Semiconductor SH8K Dual Nch+Nch Power MOSFETs are ideally suited for switching applications.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.