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SBR2U30P1-7

Name: Diodes Incorporated SBR2U30P1-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-SBR2U30P1-7
Price: 605 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

621-SBR2U30P1-7

Fabricante N.º:

SBR2U30P1-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Rectificadores y diodos Schottky 2A 30V Ultralow VF

Hoja de datos:

SBR2U30P1-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$605	$605
	$424	$4.240
	$317	$31.700
	$242	$121.000
	$217	$217.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$187	$561.000
	$160	$960.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Rectificadores y diodos Schottky
RoHS:
REACH - SVHC:
Producto:	Schottky Rectifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerDI-123-2
Configuración:	Single
Tecnología:	Si
If - Corriente directa:	2 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	30 V
Vf - Tensión directa:	400 mV
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	75 A
Ir - Corriente inversa:	400 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 65 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	SBR2U
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	Schottky Diodes & Rectifiers
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	POWERDI
Vr - Tensión inversa:	30 V
Peso de la unidad:	18 mg

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Hoja de datos

SBR2U30P1-7 Hoja de datos (PDF)

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

SBR2U AEC-Q101 Qualified Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc. SBR2U Super Barrier Rectifiers are qualified to the AEC-Q101 high-reliability standard for automotive use. Featuring Diodes Incorporated Super Barrier Rectifier SBR^® Technology, SBR2U Super Barrier Rectifiers offer low V_F, low power loss, and high efficiency. SBR2U Super Barrier Rectifiers are ideal for use in general rectification applications as boost or blocking diodes.

SBR® Super Barrier Rectifiers

Diodes Inc SBR^® Super Barrier Rectifiers use a MOS manufacturing process to create a superior two-terminal device with a lower forward voltage than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes. SBR Diodes are designed for high power, low loss and fast switching applications. The presence of a MOS channel within its structure forms a low potential barrier for the majority carriers. That means SBR forward bias operation at low voltage is similar to a Schottky diode. The leakage current is lower than Schottky Diode in reverse bias due to the overlap of the P-N depletion layers and the absence of potential barrier reduction due to the image charge.