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QPL9503TR7

Name: Qorvo QPL9503TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPL9503T
Price: 6182 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPL9503T

Fabricante N.º:

QPL9503TR7

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Amplificador de RF 1-6GHz Gain 21.6dB NF .9dB OIP3 35dBm

Hoja de datos:

QPL9503TR7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$6.182	$6.182
	$4.861	$121.525
	$3.830	$383.000
	$3.158	$789.500
	$2.677	$1.338.500
	$2.240	$2.240.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$2.184	$5.460.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	600 MHz to 6 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	5 V
Corriente de suministro operativa:	56 mA
Ganancia:	21.6 dB
NF - Figura de ruido:	0.9 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Tecnología:	Si
P1dB: punto de compresión:	19 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	35.5 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 105 C
Serie:	QPL9503
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Qorvo
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Pérdida de retorno de entrada:	10 dB
Número de canales:	1 Channel
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	5.5 GHz
Alias de las piezas n.º:	QPL9503
Peso de la unidad:	246,638 mg

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PCN

Product Change Notification 2024-09-12 (PDF)

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: 5A991.b

Small Cell Power Amplifiers

Qorvo Small Cell Power Amplifiers are housed in cost-effective surface-mount packages with on-chip bias control and temperature control circuits. The amplifiers are suitable for small cell or enterprise Femtocell base station applications. These Qorvo devices provide high gain and linear power using an LTE signal over the indicated frequency range.

QPL9503 Low Noise Amplifiers

Qorvo QPL9503 Low Noise Amplifiers (LNA) are flat gain, high linearity, and ultra-low noise amplifiers. These amplifiers typically provide 21.6dB gain at 5.5GHz and optimized for linear performance across 3GHz to the 6GHz frequency band. Qorvo QPL9503 amplifiers are biased from a single positive supply ranging from 3.3V to 5V. These amplifiers are internally matched using a high-performance E-pHEMT process. The LNA operates from 0.6-6GHz bandwidth and is available in a 2mm x 2mm surface-mount package. Features include integrated shut-down control pin, maintains OFF state with high pin drive, and is unconditionally stable. Typical applications include mobile infrastructure, repeaters, L-band, S-band, and C-band radios, and TDD or FDD systems.

LNAs for Sub-6GHz 5G

Qorvo LNAs for Sub-6GHz 5G are a variety of transistors and amplifiers with industry-leading low-noise performance. Qorvo provides multiple product solutions ranging from discrete transistors to packaged MMIC solutions. These solutions incorporate internal matching and on-chip linearization. Dual amplifiers are available for use as push-pull or balanced amplifier configurations. Qorvo LNAs for Sub-6GHz 5G are manufactured using the pHEMT processes with 0.15µm, 0.25µm, or 0.5µm gate lengths.

Low Noise Amplifiers

Qorvo Low Noise Amplifiers (LNA) are high-linearity, ultra-low noise, 2-stage gain Block Amplifier Modules. These amplifiers offer an operation bandwidth of 0.45GHz to 3.8GHz. Qorovo LNA modules include bypass mode functionality integrated into the second stage of the module. At 1.95 GHz, the LNAs typically provide 37.5dB gain with an OIP3 of +35dBm in High Gain mode. These amplifiers also provide high performance in the Low Gain mode with 17.5dB gain and an OIP3 of +34dBm.The LNA modules use a high-performance E-pHEMT process. The E-pHEMT technology enables high gain, low noise, and wide dynamic range in high-linearity LNA applications. These amplifiers also contain an internal active bias to maintain high performance over temperature. These low noise amplifiers are packaged in a compact 16-pin 3.5mm x 3.5mm leadless SMT package, which is lead-free, halogen-free, and RoHS compliant.