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PBZTBR110B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR110B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR110B
Price: 918 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-PBZTBR110B

Fabricante N.º:

PBZTBR110B

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Diodos Zener 1000mW, 7V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

Hoja de datos:

PBZTBR110B Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$918	$918
	$568	$5.680
	$371	$37.100
	$290	$145.000
	$253	$253.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$204	$612.000
	$194	$1.164.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Diodos Zener
RoHS:
Vz - Tensión del zener:	10 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DO-214AA-2
Dp - Disipación de potencia :	1 W
Ir - Corriente máxima de pérdida inversa:	40 uA
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Configuración:	Single
Corriente de prueba:	40 mA
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Altura:	3.94 mm
Ir - Corriente inversa:	10 uA
Longitud:	4.7 mm
Tipo de producto:	Zener Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Ancho:	2.45 mm
Corriente Zener:	10 uA

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Hoja de datos

PBZTBR110B Hoja de datos (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100050
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Diodos Zener PBZTBR1x

Los diodos Zener PBZTBR1x de ROHM Semiconductor cuentan con alta fiabilidad y un pequeño tipo de molde de potencia con una estructura planar epitaxial de silicio. Estos diodos Zener ofrecen disipación de potencia de 1000 mW y temperatura de unión de 150°C. Los diodos Zener PBZTBR1x se almacenan en un rango de temperatura de -55°C a 150°C. Estos diodos Zener están disponibles en el paquete DO-214AA (SMB). Los diodos Zener PBZTBR1x se utilizan en la regulación de voltaje.