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NVTFS4C02NTAG

Name: onsemi NVTFS4C02NTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTFS4C02NTAG
Price: 2654 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVTFS4C02NTAG

Fabricante N.º:

NVTFS4C02NTAG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 30V NCH U8FL

Hoja de datos:

NVTFS4C02NTAG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Precio ext.:

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.654	$2.654
	$1.904	$19.040
	$1.501	$150.100
	$1.243	$621.500
	$1.165	$1.165.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.165	$1.747.500

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Serie:	NVTFS4C02N
Marca:	onsemi
Modo canal:	Enhancement
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Id - Corriente de drenaje continua:	162 A
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Número de canales:	1 Channel
Paquete / Cubierta:	WDFN-8
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Dp - Disipación de potencia :	3.2 W
Tipo de producto:	MOSFETs
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.25 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	Si
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V

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Hoja de datos

NVTFS4C02NTAG Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.