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NVMFS5C420NLT1G

Name: onsemi NVMFS5C420NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS5C420NLT1G
Price: 4290 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVMFS5C420NLT1G

Fabricante N.º:

NVMFS5C420NLT1G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

Hoja de datos:

NVMFS5C420NLT1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.290	$4.290
	$2.901	$29.010
	$2.218	$221.800
	$2.016	$1.008.000
	$1.882	$1.882.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
	$1.882	$2.823.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SO-8FL-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	277 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.2 V
Qg - Carga de puerta:	100 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	146 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NVMFS5C420NL
Cantidad de empaque de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

NVMFS5C420NLT1G Hoja de datos

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Automotive Power MOSFETs

onsemi Power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_g/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

N-Channel PowerTrench® MOSFETs

onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are produced using onsemi's advanced PowerTrench process that has been specially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. onsemi N-Channel PowerTrench MOSFETs are available in a variety of Drain to Source Voltage specifications, from 30V to 250V.