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NTTFD9D0N06HLTWG

Name: onsemi NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFD9D0N06HLTWG
Price: 3147 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTTFD9D0N06HLTWG

Fabricante N.º:

NTTFD9D0N06HLTWG

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL

Hoja de datos:

NTTFD9D0N06HLTWG Hoja de datos

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	$1.154	$577.000
	$1.142	$1.142.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$1.089	$3.267.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WDFN-12
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	13.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	26 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	JP
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	NTTFD9D0N06HL
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors

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NTTFD9D0N06HLTWG Hoja de datos

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTTFD4D0N04HL & NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs

onsemi NTTFD4D0N04HL and NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs are POWERTRENCH® power clip symmetric dual-channel MOSFETs in a WQFN12 package. These devices include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual package. The switch node is internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q2) and synchronous MOSFET (Q1) are designed to provide optimal power efficiency. onsemi NTTFD4D0N04HL and NTTFD9D0N06HL N-Channel MOSFETs offer low R_DS(on), low Q_G and capacitance, and low conduction/driver losses. Typical applications include DC-DC converters, general-purpose point of load, single-phase motor drives, computing, and communications

Trench8 MOSFETs

onsemi Trench8 MOSFETs feature low maximum ON-resistance (R_DS(ON), ultra-low gate charge (Q_g), and low (Q_g) x R_DS(ON), a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications. Featuring optimized switching performance based on T6 technology, the Trench8 MOSFETs offer a 35% to 40% reduction in Q_g and Q_oss from the Trench6 series. The onsemi Trench8 MOSFETs are available in a wide range of package types for design flexibility. AEC-Q101 Qualified and PPAP capable options are available for automotive applications. Many of these devices are offered in flank-wettable packages enabling automated optical inspection (AOI).