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NTMFSC4D2N10MC

Name: onsemi NTMFSC4D2N10MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSC4D2N10MC
Price: 4648 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTMFSC4D2N10MC

Fabricante N.º:

NTMFSC4D2N10MC

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL

Hoja de datos:

NTMFSC4D2N10MC Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$2.296	$1.148.000
	$2.218	$2.218.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$2.150	$6.450.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	116 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	4.3 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	42 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	122 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	5.2 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	18 ns
Serie:	NTMFSC4D2N10MC
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	30 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns

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