NTH4L022N120M3S

onsemi
863-NTH4L022N120M3S
NTH4L022N120M3S

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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$-
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$-
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$20.866 $20.866
$13.933 $139.330

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
68 A
30 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.4 V
151 nC
- 55 C
+ 175 C
352 W
Enhancement
EliteSiC
Marca: onsemi
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 34 S
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 24 ns
Serie: NTH4L022N120M3S
Cantidad de empaque de fábrica: 450
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 48 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 18 ns
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

PCN

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L022N120M3S

Los MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTH4L022N120M3S de Onsemi son una familia de MOSFET SiC planar M3S de 1200 V. El NTH4L022N120M3S de onsemi está optimizado para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de manera confiable con controladores de voltaje de puerta negativo y apaga los picos en la puerta. Estos MOSFET cuentan con un rendimiento óptimo cuando se accionan con una unidad de puerta de 18 V, pero también funcionan bien con una unidad de puertas 15 V.

M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi M3S 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are optimized for fast switching applications. The planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The onsemi M3S 1200V MOSFETs provide optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The M3S offers low switching losses and is housed in a TO247-4LD package for low common source inductance.

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