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MR4A16BUYS45R

Name: Everspin Technologies MR4A16BUYS45R
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR4A16BUYS45R
Price: 91000 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

936-MR4A16BUYS45R

Fabricante N.º:

MR4A16BUYS45R

Fabricante:

Everspin Technologies

Descripción:

Memoria RAM magnetorresistiva 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Hoja de datos:

MR4A16BUYS45R Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$91.000	$91.000
	$84.045	$840.450
	$81.312	$2.032.800
	$79.274	$3.963.700
	$77.280	$7.728.000
	$77.269	$19.317.250
	$77.258	$38.629.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$68.622	$68.622.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

MR4A16BUYS45

Embalaje:

Tray

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$89.488

Mín.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Everspin Technologies
Categoría de producto:	Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TSOP-II-54
Tipo de interfaz:	Parallel
Tamaño de memoria:	16 Mbit
Organización:	1 M x 16
Ancho de bus de datos:	16 bit
Tiempo de acceso:	45 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	3 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Corriente de suministro operativa:	60 mA, 152 mA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MR4A16B
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Everspin Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia :	600 mW
Tipo de producto:	MRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Nombre comercial:	Parallel I/O (x16)

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CNHTS:: 8542329090
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.