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MASTERGAN6TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN6TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN6TR
Price: 11334 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-MASTERGAN6TR

Fabricante N.º:

MASTERGAN6TR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver

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Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$11.334	$11.334
	$8.758	$87.580
	$8.355	$208.875
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$8.355	$25.065.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Gate Driver
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-35
Número de salidas:	1 Output
Voltaje de alimentación - Mín.:	9 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	18 V
Tiempo de subida:	4 ns
Tiempo de caída:	4 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN6
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	SG
Kit de desarrollo:	EVLMG6
Tiempo de retardo de apagado máximo:	70 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo:	70 ns
Tiempo apagado - Máx.:	70 ns
Dp - Disipación de potencia :	20 mW
Tipo de producto:	Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.:	105 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	140 mOhms
Apagado:	Shutdown
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Peso de la unidad:	194 mg

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MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.