MAPC-A3010-AB000

MACOM
937-MAPC-A3010-AB000
MAPC-A3010-AB000

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs Transistor, DC-4GHz, 120W, G28V5

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Lo nuevo de este fabricante.
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre MACOM MAPC-A3010-AB000
Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.

En existencias: 25

Existencias:
25 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$852.208 $852.208
$749.235 $7.492.350

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: GaN FETs
Restricciones de envío:
 Este producto puede necesitar documentación adicional para ser exportado desde los Estados Unidos.
RoHS:  
SMD/SMT
440223
1 Channel
84 V
12 A
- 10 V, + 2 V
- 40 C
+ 65 C
Marca: MACOM
Configuración: 1 Channel
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Ganancia: 18 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: DC
Potencia de salida: 50.9 dBm
Producto: GaN FETs
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Transistors
Tipo: GaN on SiC Transistor
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

USHTS:
8541290055
ECCN:
3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.