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IXTT1N450HV

Name: IXYS IXTT1N450HV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTT1N450HV
Price: 54432 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTT1N450HV

Fabricante N.º:

IXTT1N450HV

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 1A HV Power MOSFET

Hoja de datos:

IXTT1N450HV Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D3PAK-3 (TO-268-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	4.5 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	3 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	80 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	46 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	520 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	120 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	0.4 S
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	43 ns
Serie:	IXTT1N450
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	73 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	30 ns
Peso de la unidad:	4 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors

4500V High Voltage Power MOSFETs

IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs are the highest voltage Power MOSFET product line in the industry in international standard size packages. The current ratings range from 200mA to 2A. IXYS 4500V High Voltage Power MOSFETs specifically designed to address demanding, fast-switching power conversion applications requiring very high blocking voltages up to 4.5kV.