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IXSH65N120L2KHV

Name: IXYS IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH65N120L2KHV
Price: 11222 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXSH65N120L2KHV

Fabricante N.º:

IXSH65N120L2KHV

Fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Ciclo de vida:

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	$8.512	$85.120
	$7.090	$709.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 450)
	$6.317	$2.842.650
	$5.634	$5.070.600

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	65 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	52 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	110 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	10.5 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	22.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19.3 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9.6 ns

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [R_DS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (I_D) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (V_DSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).