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IMYH200R100M1HXKSA1

Name: Infineon IMYH200R100M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMYH200R100M1HXK
Price: 20787 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IMYH200R100M1HXK

Fabricante N.º:

IMYH200R100M1HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package

Hoja de datos:

IMYH200R100M1HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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1.200	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	26 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	131 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	55 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	217 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSIC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	5 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2 ns
Alias de las piezas n.º:	IMYH200R100M1H SP005427376

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

2000V CoolSiC™ MOSFETs

Infineon Technologies 2000V CoolSiC™ MOSFETs are trench MOSFETs in a TO-247PLUS-4-HCC package. These MOSFETs are designed to deliver increased power density without sacrificing the system's reliability, even under demanding high-voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability using the .XT interconnection technology and enable top efficiencies in various applications. The 2000V MOSFETs feature a benchmark gate threshold voltage of 4.5V and offer very-low switching losses. Typical applications include energy storage systems, EV charging, string inverter, and solar power optimizer.