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IMBG65R048M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R048M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R048M1HXTM
Price: 9722 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMBG65R048M1HXTM

Fabricante N.º:

IMBG65R048M1HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Hoja de datos:

IMBG65R048M1HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$9.722	$9.722
	$6.294	$62.940
	$5.253	$525.300
	$5.242	$2.621.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$4.906	$4.906.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Infineon Technologies

Fabricante N.º:

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Descripción:

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	45 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	64 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.7 V
Qg - Carga de puerta:	33 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	183 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 650V
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Alias de las piezas n.º:	IMBG65R048M1H SP005539172

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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