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IKZA75N120CH7XKSA1

Name: Infineon IKZA75N120CH7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKZA75N120CH7XKS
Price: 11054 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IKZA75N120CH7XKS

Fabricante N.º:

IKZA75N120CH7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package

Hoja de datos:

IKZA75N120CH7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$6.507	$650.700
	$5.790	$2.779.200
	$5.410	$6.492.000

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Serie:	IGBT7 H7
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	IKZA75N120CH7 SP005578273

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 Discretes are the 7th generation of TRENCHSTOP™ IGBTs, created with micro-pattern trench technology. The advanced technology delivers unparalleled control and performance, resulting in significant loss reduction, improved efficiency, and increased power density in applications.

650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7 Discrete Transistors are the 7^th generation of 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs, which are designed with micro-pattern trench technology. These discrete IGBTs offer a high level of controllability, low conduction losses, low switching losses, improved EMI performance, and humidity robustness under harsh environments. The IGBT7 H7 discrete transistors allow the selection of a low gate resistor (down to 5Ω) while maintaining excellent switching behavior. These transistors are used in fast EV charging, industrial heating and welding, and Uninterruptible Power Supplies (UPS) applications.