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IKW40N120T2

Name: Infineon IKW40N120T2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW40N120T2
Price: 8120 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IKW40N120T2

Fabricante N.º:

IKW40N120T2

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

IKW40N120T2 Hoja de datos (PDF)

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	$6.507	$65.070
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	$4.670	$2.241.600
	$4.133	$4.959.600

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

IKW40N120T2FKSA1

Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$8.557

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.75 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	75 A
Dp - Disipación de potencia :	480 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	Trenchstop IGBT2
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	IGBTs
Nombre comercial:	TRENCHSTOP
Alias de las piezas n.º:	IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
Peso de la unidad:	38 g

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USHTS:: 8541290065
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KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

1200V Gen8 IGBTs

Infineon 1200V Gen8 IGBTs feature trench gate field stop technology delivered in industry standard TO-247 packages to provide best-in-class performance for industrial and energy-saving applications. The Gen8 technology offers softer turn-off characteristics ideal for motor drive applications, minimizing dv/dt to reduce EMI, and over-voltage, increasing reliability and ruggedness. Infineon 1200V Gen8 IGBTs have current ratings from 8A up to 60A with typical VCE(ON) of 1.7V, and a short-circuit rating of 10µs to reduce power dissipation, resulting in increased power density and robustness. Using thin wafer technology, 1200V Gen8 IGBTs deliver improved thermal resistance and maximum junction temperature up to +175°C.