Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

GCMX080A120B2H2P

Name: SemiQ GCMX080A120B2H2P
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX080A120B2H2P
Price: 37094 CLP
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

148-GCMX080A120B2H2P

Fabricante N.º:

GCMX080A120B2H2P

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Módulos MOSFET 1200V, 80mohm SiC MOSFET Full Bridge Module

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

GCMX080A120B2H2P Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre SemiQ GCMX080A120B2H2P

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: Solicitar cotización de entrega

Introducir cantidad:

Mínimo: 40 Múltiples: 40

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$37.094	$1.483.760
	$33.376	$4.005.120
1.000	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	B2
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	27 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	100 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	119 W
Serie:	GCMX
Empaquetado:	Bulk
Marca:	SemiQ
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12 ns
Altura:	15 mm
Longitud:	62.8 mm
Producto:	Modules
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de subida:	5 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	40
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tipo:	Full Bridge Module
Tiempo de retardo de apagado típico:	22 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Vf - Tensión directa:	4.2 V
Ancho:	33.8 mm

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

GCMX080A120B2H2P Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Módulos de puente completo MOSFET SiC de 1,200 V GCMX

Los módulos de puente completo MOSFET SiC de 1200 V GCMX de SemiQ ofrecen bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo. Estos módulos se montan directamente en el disipador térmico (paquete aislado) e incluyen una referencia Kelvin para un funcionamiento estable. Todas las piezas se han probado rigurosamente para resistir voltajes superiores a 1350 V. La característica destacada de estos módulos es el sólido voltaje de fuente de drenado de 1200 V. Los módulos de puente completo GCMX funcionan a una temperatura de unión de 175°C y cumplen con las normas RoHS. Las aplicaciones típicas incluyen inversores fotovoltaicos, cargadores de batería, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores CC a CC de alto voltaje.