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DMN53D0LQ-13

Name: Diodes Incorporated DMN53D0LQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN53D0LQ-13
Price: 347 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMN53D0LQ-13

Fabricante N.º:

DMN53D0LQ-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family

Hoja de datos:

DMN53D0LQ-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$5.000)

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$347	$347
	$218	$2.180
	$138	$13.800
	$106	$53.000
	$89,6	$89.600
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	$89,6	$896.000

† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

DMN53D0LQ-7

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$336

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	500 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.6 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	800 mV
Qg - Carga de puerta:	600 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	540 mW
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	11 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	2.5 ns
Serie:	DMN53
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2.7 ns
Peso de la unidad:	8 mg

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Hoja de datos

DMN53D0LQ-13 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

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DMNxx MOSFETs

Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.